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电子束蒸发镀膜
利用高速电子束加热使材料汽化蒸发,在基片表面凝结成膜的技术。电子束热源的能量密度可达104-109w/cm2,可达到3000℃以上,可蒸发高熔点的金属或介电材料如钨、钼、锗、SiO2、AL2O3等。
电子束加热的蒸镀源有直*型电子*和e型电子*两种(也有环行),电子束自源发出,用磁场线圈使电子束聚焦和偏转,对膜料进行轰击和加热。
PVD加工特点
1).PVD膜层能直接镀在不锈钢以及硬质合金上,对比较软的锌合金、铜、铁等压铸件应*行化学电镀铬,然后才适合镀PVD,但是水镀后做PVD容易起泡,不良率较高;
2).典型的 PVD 涂层加工温度在 250 ℃—450 ℃之间;
3).涂层种类和厚度决定工艺时间,一般工艺时间为 3~6 小时;
4).PVD镀膜膜层的厚度为微米级,厚度较薄,一般为0.3μm~5μm,其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.3μm~1μm,因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能,并能够维持工件尺寸基本不变,镀后不须再加工;磁控溅射的基本原理:磁控溅射是在溅射区加了与电场方向垂直的磁场,处于正交电场区E和磁场B中的电子的运动方程,。
基片置于合适的位置是获得均匀薄膜的前提条件.
b、压强的大小. 为了保证膜层质量,压强应尽可能低Pr≦(Pa)
L表示蒸发源到基片的距离为L(cm)。
c、蒸发速率.蒸发速率小时,沉积的膜料原子(或分子)上立刻吸附气体分子,因而形成的膜层结构疏松,颗粒粗大,缺陷多;反之,膜层结构均匀致密,机械强度高,膜层内应力大.
d、基片的温度.在通常情况下,基片温度高时,吸附原子的动能随之增大,形成的薄膜容易结晶化,并使晶格缺陷减少;基片温度低时,则没有足够大的能量供给吸附原子,因而容易形成无定形态薄膜.
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